하이닉스반도체는 국제 반도체 표준협의기구(JEDEC) 규격을 적용한 30나노급 2Gb(기가비트) 차세대 DDR4 D램을 개발, 내년 하반기부터 양산할 계획이라고 4일 밝혔다.

DDR4 D램은 현재 시장의 주력제품인 DDR3 D램보다 전력소모가 적으면서도 데이터 전송속도를 두 배 가량 높인 차세대 D램 규격이다.

아울러 이를 사용해 초소형 서버 등에 사용되는 2GB(기가바이트) ECC-SODIMM(Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module)도 개발을 완료했다고 밝혔다.

신제품은 1.2V 저전압에서 업계에서 처음으로 2400Mbps의 초고속 데이터 전송속도를 구현, 기존 DDR3 1333Mbps 제품과 비교해 처리속도가 80% 가량 향상됐다고 하이닉스는 설명했다.